RF-MEMS谐振器的性能优化研究

方案。两级放大电路的第一级采用微分跨阻放大;第二级采用反相电压放大，电路如图3所示。

3 仿真结果与分析

经阻抗匹配后，插入损耗从62dB降低至了37.33dB，降低了放大电路的增益需求。两级放大电路的频谱图如图4所示。增益在40-200MHz以内较为平坦，在频率为150.7MHz时，电路的增益达到36.73dB，能够有效补偿MEMS谐振器的插入损耗。

将放大电路与阻抗匹配后谐振器输出频谱级联仿真，如图5所示。峰值处，插入损耗由37.33dB降至0.51dB，表明所设计的放大电路有效降低了谐振器的插入损耗。

4 结语

通过增加阻抗匹配网络、两级放大电路对高阻抗、高中心频率、高品质因子的MEMS谐振器的性能进行了优化，降低了MEMS谐振器的插入损耗、提高了传输性能，插入损耗及传输性能的优化设计对MEMS谐振器的实用推广具有参考价值，提升了MEMS谐振器的应用潜力。

参考文献

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Study on Performance Optimization of RF-MEMS Resonators

DAI Xue-mei，ZHANG Xiao-qing

（School of Instrument Science and Opto Electronics Engineering， Beijng Information Science &Technology University，Beijing 100192）

Abstract：A circuit-based performance optimization design for MEMS resonators was done. Foran RF-MEMS resonator， a high gain resonator interface circuit was designed.The simulation results showthe insertion loss of the resonator after performance optimization is reduced from 62dBto 0.51 dB.

Key words：RF-MEMS resonator; impedance matching network; low insertion loss

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